设备配置 | 1C1D、2C、2D |
衬底材质 | Si、Glass、Sapphire、GaAs、InP、GaN、SiC、LT、LN等 |
线宽 | ≥0.35um |
适用工艺 | G-line、i-line、PI |
应用领域 | MEMS、功率器件、射频集成、光通讯、科研等 |
技术特征 | ◼设备结构紧凑、占地面积小(面宽仅1.1m) ; ◼功能齐全,具备EBR、BSR、RRC、胶嘴自动保湿清洗等功能,可选配更换便捷的针管式胶嘴; ◼可做两种尺寸完全兼容,不需要更换零件; ◼可选配光刻胶显影液温控, HMDS等单元部件。 |
设备尺寸 | 1180*1450*2040mm(W*D*H) |