设备配置 | 2-4 chamber |
设备产能 | 60WPH(Gu Ti刻蚀) |
衬底材质 | Si、SiC、Glass、GaAs、InP |
适用工艺 | 氧化硅/氮化硅刻蚀(SiOx/SiNx etch)、金属刻蚀/Metal etch(Cu Ti Au Cr Ni etc.)、氧化铟锡/氧化铟镓锌(ITO/IGZO)等 |
工艺指标 | 介质刻蚀均匀性<5%、金属刻蚀均匀性<5%、颗粒控制(≤20ea@0.16um) |
金属离子控制(Fe Ca: 5E9 atms/cm2 ;others: 1E10 atms/cm2) | |
应用领域 | IC、功率器件、射频集成、半导体光学、光通讯、科研 |
技术特征 | ◼机台可实现多尺寸兼容; ◼工艺腔体经过优化设计,提供优秀的洁净度控制; ◼可适用多种药液如SPM(H2SO4:H2O2),SC-1(NH4OH:H2O2:H20),SC-2(HCL:H2O2:H2O) ,HF,HNO3,H3PO4等,最多可实现4种药液的循环回收使用; ◼可配合使用Nano spray工艺和IPA N2 dry等干燥工艺。 |
设备尺寸 | 2560*2513*2500(W*D*H) |