单片清洗机 ACL SCRUBBER
| 设备配置 | 2-4 chamber |
| 设备产能 | 104WPH |
| 衬底材质 | Si、SiC、Glass、GaAs、InP、Sapphire、LN、LT |
| 适用工艺 | 来料清洗、CMP后清洗、打标后清洗、背面清洗、光刻胶残留清洗 |
| 工艺指标 | 颗粒控制（≤20ea@0.12um） |
| 金属离子控制（Fe Ca: 5E9 atms/cm | |
| 应用领域 | IC、功率器件、射频集成、半导体光学、光通讯、科研 |
| 技术特征 | ◼机台可实现多尺寸兼容； ◼工艺腔体经过优化设计，高性能FFU，配合可调节高度的CUP，在晶圆表面形成稳定downflow,有效控制腔体内的静态环境和动态环境； ◼多达三个喷液手臂和一个固定喷头，实现多种喷液方式的混合使用，增大清洗工艺节点的窗口（≤120nm）； ◼手臂采用电缸使上下方向高度可调，采用伺服电机使摆动方向上实现任意位置的精确调节，实现更大的工艺优化窗口； ◼气液分离机制，可利用分层CUP实现对有机和DIW的分开排废。 |
| 设备尺寸 | 2560*2513*2500（W*D*H） |